Transistor bipolare BJT Toshiba 2SA1943-O

Caratteristiche

• Produttore: Toshiba
• Categoria prodotto: Transistor bipolari – BJT
• Tecnologia: Si
• Stile di montaggio: Through Hole
• Package/involucro: TO-3P-3
• Polarità transistor : PNP
• Configurazione: Single
• Corrente CC massima collettore: 15 A
• Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 230 V
• Tensione base-collettore VCBO: 230 V
• Tensione emettitore-base VEBO: 5 V
• Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1.5 V
• Pd – Dissipazione di potenza: 150 W
• Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 30 MHz
• Temperatura di lavoro minima  
• Temperatura di lavoro massima: + 150 C
• Serie: 2SA
• Marchio: Toshiba
• Corrente continua collettore: 15 A
• Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 55
• Guadagno in corrente CC hFE max: 160
• Altezza: 26 mm
• Lunghezza: 20.5 mm
• Tipo di prodotto: BJTs – Bipolar Transistors